安徽富芯微电子有限公司 main business:生产研究开发功率半导体器件（含电力、电子器件）、集成电路芯片及相关产品和整机产品；销售功率半导体器件、集成电路芯片及相关产品；产品的售后服务和应用开发；从事货物及技术的进出口业务（国家法律法规限定或禁止的商品和技术除外）。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动） and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 存续（在营、开业、在册）
- 其他有限责任公司
- 2015年07月08日
- 童怀志
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- 2015年07月08日 至 2035年07月07日
- 合肥市高新开发区市场监督管理局
- 2017年07月11日
- 合肥市高新区柏堰科技园香蒲路503号
- 设计制作功率半导体器件（含电力、电子器件）、集成电路芯片及相关产品和整机产品；销售功率半导体器件、集成电路芯片及相关产品；产品的售后服务和应用开发；房屋租赁；设备租赁；从事货物、技术进出口业务。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
| 类型 | 名称 | 网址 |
| 网站 | 安徽富芯微电子有限公司 | www.richips.com.cn |
| 网站 | richips.com.cn | http://richips.com.cn |
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106252456A | 一种高灵敏度光敏三极管及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开一种高灵敏度光敏三极管，包括基区、发射区、发射极金属区、高阻区、钝化区，所述基区由多个独立 |
| 2 | CN106252349A | 一种低电容功率TVS器件及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开一种低电容功率TVS器件，属于半导体防护器件领域，所述低电容功率TVS器件是由功率TVS二 |
| 3 | CN106229349A | 一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法 | 2016.12.14 | 本发明公开一种超低电容低压半导体放电管芯片及其制造方法，该半导体放电管芯片由两个相同的双向对称的低电 |
| 4 | CN206148418U | 一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟 | 2017.05.03 | 本实用新型公开一种具有石英载源体固定装置的石英镓预扩舟，其包括石英镓预扩舟、石英载源体以及石英载源体 |
| 5 | CN206148410U | 一种炉管的开管扩散装置 | 2017.05.03 | 本实用新型公开一种炉管的开管扩散装置，其放置于中空的炉管内，其包括：石英套管，其为中空的管状；石英固 |
| 6 | CN206147052U | 探针台扎针自动测量装置 | 2017.05.03 | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及探针台扎针自动测量装置，包括探针，还包括单稳态触发器，所述单稳 |
| 7 | CN206127411U | 一种磁控溅射装置 | 2017.04.26 | 本实用新型涉及镀膜设备领域，具体涉及一种磁控溅射装置，括依次连接的烘烤腔、溅射腔和降温腔，所述烘烤腔 |
| 8 | CN206133878U | 气源柜排风监控及报警装置 | 2017.04.26 | 本实用新型属于安全防护产品领域，具体涉及气源柜排风监控及报警装置，包括排气管道，限位开关，所述限位开 |
| 9 | CN206109532U | 一种CVD炉内气体对流系统 | 2017.04.19 | 本实用新型公开一种CVD炉内气体对流系统，包括：石英管，其内水平放置有沿所述石英管轴向可移动的石英舟 |
| 10 | CN106505050A | 一种半导体器件复合钝化膜及其制备方法 | 2017.03.15 | 本发明属于半导体生产技术领域，特别涉及半导体器件复合钝化膜，所述钝化膜包括五层结构，一层是位于基底上 |
| 11 | CN106449398A | 减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法 | 2017.02.22 | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种减少光刻湿法腐蚀钻蚀的工艺方法，依次包括底膜预处理、一次光刻、 |
| 12 | CN106449384A | 一种P型层开管Al扩散硅元件及其制备方法 | 2017.02.22 | 本发明涉及可控硅元件领域，具体涉及一种P型层开管Al扩散硅元件制备方法。包括以下步骤：步骤一，在Si |
| 13 | CN106340539A | 一种交流开关及其制造方法 | 2017.01.18 | 本发明公开一种交流开关，包括N型半导体基体、P型扩散区、P+型扩散隔离区、N+扩散区、凹槽、钝化区、 |
| 14 | CN106319468A | 一种提高磁控溅射镀膜质量的方法 | 2017.01.11 | 本发明涉及物理气相淀积技术领域，具体涉及一种提高磁控溅射镀膜质量的方法，包括以下步骤：步骤一，装片， |
| 15 | CN106328518A | 一种调节双向可控硅触发电流的工艺方法及双向可控硅 | 2017.01.11 | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及调节双向可控硅触发电流的工艺方法，包括：硅片双面抛光、氧化、穿通光 |
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